型号:

IRFH7932TRPBF

RoHS:无铅 / 符合
制造商:International Rectifier描述:MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
IRFH7932TRPBF PDF
产品目录绘图 IR Hexfet PQFN
标准包装 4,000
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 24A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 3.3 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2.35V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 51nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4270pF @ 15V
功率 - 最大 3.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerVDFN
供应商设备封装 PQFN(5x6)单芯片焊盘
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1524 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IRFH7932TRPBFTR
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